沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的 4 大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約 80% 的投資用于購(gòu)買設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約 25% 的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積 (ALD)、物理式真空鍍膜 (PVD) 和化學(xué)式真空鍍膜 (CVD) 等。其中 ALD 屬于 CVD 的一種，是當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。調(diào)研機(jī)構(gòu) GIR 相關(guān)報(bào)告表明，全球 ALD 設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模在 2021-2026 年的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)達(dá)到 25.1%，將從 2019 年的 10.661 億美元增至 2026 年的 26.129 億美元。

隨著新材料、新制程、新工藝在新興半導(dǎo)體制造行業(yè)的應(yīng)用與發(fā)展，ALD 技術(shù)可以使得材料以單原子膜（0.1nm）形式沉積在基板表面的特性，在沉積層的厚度控制、3D 異形材料表面均勻度、表面無(wú)針孔、折射率等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，因此特別適用于 MEMS、CMOS 圖像傳感器等產(chǎn)品的制造與生產(chǎn)，并逐漸成為超越摩爾領(lǐng)域的鍍膜沉積技術(shù)首選。

青島四方思銳智能技術(shù)有限公司（SRII）全資子公司——BENEQ 全新推出的 TransformTM 系列設(shè)備是專為超越摩爾應(yīng)用市場(chǎng)提供的具有競(jìng)爭(zhēng)力的 ALD 解決方案。TransformTM 平臺(tái)采用了全新的集群設(shè)計(jì)和尖端的鍍膜沉積技術(shù)，可以為 8" 及以下晶圓的表面沉積多種材料，包括 Al2O3、SiO2、AlN、TiN 等氧化物與氮化物，并實(shí)現(xiàn)完全保形和高均勻性的薄膜沉積。BENEQ 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)總監(jiān) Alexander Perros 介紹 ：BENEQ 通用型 ALD 技術(shù)的超越摩爾應(yīng)用矩陣十分豐富，包括功率器件、濾波器、MEMS 和 CIS 等。同時(shí)，BENEQ 針對(duì)不同的細(xì)分市場(chǎng)也推出了不同的 ALD 解決方案，主要包括高 K 介電質(zhì)、表面鈍化、ALD 成核層、化學(xué)阻擋層、防潮層及抗反射膜等。例如，表面鈍化，可以用不同 ALD 材料來(lái)實(shí)現(xiàn)表面鈍化，防潮層則在封裝上發(fā)揮關(guān)鍵作用；這些均在廣泛的應(yīng)用中具備很強(qiáng)的通用性。

代表BENEQ先進(jìn)通用型ALD技術(shù)的TransformTM 系列設(shè)備

一個(gè)平臺(tái)，多種配置

BENEQ Transform ?憑借多功能性和靈活性，制造了全新的 ALD 集群工具設(shè)備?？蛇m用于廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景并滿足不同的市場(chǎng)細(xì)分。Beneq Transform ?配置多個(gè) ALD工藝模塊，以滿足特定的晶圓產(chǎn)能要求，也可為應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的產(chǎn)量或新的 ALD 應(yīng)用而進(jìn)行升級(jí)。

BENEQ 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 Patrick Rabinzohn 表示 ：“TransformTM 平臺(tái)兼容單片、批量、熱法以及等離子體等功能，是目前業(yè)界僅有、集多項(xiàng)功能于一體的通用型先進(jìn)平臺(tái)。不僅如此，TransformTM 平臺(tái)更具備靈活配置的優(yōu)勢(shì)，客戶可以根據(jù)自身需求，選擇‘3 組 ALD 模塊 + 預(yù)加熱模塊’構(gòu)建 TransformTM 的標(biāo)準(zhǔn)配置、或‘2 組 ALD 模塊+ 預(yù)加熱模塊’構(gòu)建 TransformTM Lite 的簡(jiǎn)化配置，實(shí)現(xiàn)差異化、更具效益的生產(chǎn)和管理方式，并在主流廠商中開(kāi)拓了意向訂單。”

以鍍膜沉積 50 納米的氧化鋁為例，若采用標(biāo)準(zhǔn)配置的 TransformTM 系統(tǒng)，最多的產(chǎn)量可以達(dá)到每小時(shí) 40 片晶圓以上，即使 Lite 設(shè)備也能達(dá)到每小時(shí) 25 片以上，這于整個(gè)行業(yè)對(duì) ALD 的傳統(tǒng)認(rèn)知可謂顛覆性的技術(shù)突破！Beneq TransformTM 專為晶圓廠而設(shè)計(jì)，適用于廣泛的高性能氧化物和氮化物，在工藝制備中可滿足最苛刻的薄膜沉積要求，并提供無(wú)與倫比的靈活性。工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的水平晶圓裝載可實(shí)現(xiàn)即插即用的無(wú)縫集成。配備獨(dú)特的預(yù)熱模塊，可減少數(shù)小時(shí)的等待時(shí)間，并將產(chǎn)能提升到一個(gè)全新的水平。

BENEQ TransformTM 平臺(tái)已經(jīng)通過(guò) SEMI S2/S8 認(rèn)證，支持 SECS/GEM 標(biāo)準(zhǔn)，并逐漸向 12" 晶圓的成熟沉積技術(shù)邁進(jìn)。除了縱向的技術(shù)、性能、產(chǎn)能突破，憑借BENEQ 先進(jìn)的通用型 ALD 技術(shù)，思銳智能正在拓展更多前沿垂直行業(yè)的應(yīng)用創(chuàng)新，將為客戶提供靈活、可靠、高產(chǎn)能的半導(dǎo)體晶圓鍍膜量產(chǎn)解決方案。